logo

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки

Институт физического материаловедения

Сибирского отделения Российской академии наук
►►► Программа семинара 

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт физического материаловедения
Сибирского отделения Российской академии наук
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт сильноточной электроники
Сибирского отделения Российской академии наук
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт электрофизики
Уральского отделения Российской академии наук

П Р О Г Р А М М А
IV Международного Крейнделевского семинара
«Плазменная эмиссионная электроника»


Крейндель Ю. Е.

 
Инфо
Труды
Итоги

ПРОГРАММНЫЙ КОМИТЕТ

Председатель:

Семёнов А.П., д.т.н., профессор, и.о. директора ИФМ СО РАН, заведующий кафедрой экспериментальной и теоретической физики ФГБОУ ВПО «Бурятский государственный университет» (Улан-Удэ).

Сопредседатели:

Гаврилов Н.В., чл.-к. РАН, заместитель директора по науке ИЭФ УрО РАН (Екатеринбург).

Коваль Н.Н., д.т.н., профессор, заместитель директора по науке ИСЭ СО РАН (Томск).

Ученый секретарь:

Семёнова И.А., к.т.н., доцент, ведущий научный сотрудник научной группы физики пучков заряженных частиц и нанотехнологий ИФМ СО РАН (Улан-Удэ).

Члены комитета:

Груздев В.А., д.т.н., профессор кафедры физики Учреждения образования «Полоцкий государственный университет» (Новополоцк, Беларусь).

Коваленко Ю.А., д.ф.-м.н. профессор, генеральный директор ФГУП «Всероссийский электротехнический институт им. В.И.Ленина» (Москва).

Козырев А.В., д.ф.-м.н., профессор, заведующий лабораторией теоретической физики ИСЭ СО РАН и кафедрой физики плазмы ФГБОУ ВПО «Томский государственный университет» (Томск).

Королев Ю.Д., д.ф.-м.н., профессор, заведующий лабораторией низкотемпературной плазмы ИСЭ СО РАН (Томск).

Окс Е.М., д.т.н., профессор, заведующий лабораторией плазменных источников ИСЭ СО РАН и кафедрой физики ФГБОУ ВПО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники» (Томск).

Ремпе Н.Г., д.т.н., профессор, заведующий лабораторией ФГБОУ ВПО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники» (Томск).

ОБЗОР ПРОГРАММЫ

Воскресенье, 24 июня 2012 г.

800-1500 - Прибытие и встреча участников семинара, регистрация, размещение в гостиничном комплексе «Бурятия»

900-1300 - Экскурсия в Иволгинский дацан (Буддийской традиционной Сангхи России)

1500 - Выезд на базу отдыха «Энхалук» (от гостиничного комплекса «Бурятия»)

1700-1900 - Прибытие и размещение

2000-2100 - Ужин

Вторник, 26 июня 2012 г.

1000-1100 - Завтрак

1100-1105 – Открытие семинара. Приветственное слово директора Института физического материаловедения СО РАН Семенова А. П.

1105-1125 – Ремпе Н. Г. «Плазменная страсть Юлия Крейнделя…»

1125-1130 – Ю. Е. Крейндель (запись от 11 октября 1989 года)

Заседание секции «ЭМИССИОННЫЕ СВОЙСТВА ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ПЛАЗМЫ, ЭЛЕКТРОННЫЕ И ИОННЫЕ ПУЧКИ, ДИАГНОСТИКА»

Председатель заседания чл.-к. РАН Гаврилов Николай Васильевич (Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург)

1130-1200 чл.-к. РАН Ратахин Н. А. Некоторые особенности мегаамперных наносекундных разрядов, возможные применения, перспективы (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск)

1200-1230 чл.-к. РАН Гаврилов Н. В., Каменецких А. С., Меньшаков А. И. Эмиссия плазменного катода с крупноструктурной сеткой при повышенных давлениях газа (Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург)

1230-1245 - перерыв

1245-1315 - Корнилов С. Ю., Ремпе Н. Г., Светлаков А. А., Шаропин Ю. Б. Автоматизация сварочных комплексов на основе пушек с плазменным катодом: визуализация поверхности и наведение электронного пучка на стык обработкой сигнала отраженных электронов (ФГБОУ ВПО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники», Томск)

1315-1345 - *) Корнилов С. Ю., Ремпе Н. Г. Особенности электронно-оптической системы с плазменным эмиттером (ФГБОУ ВПО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники», Томск)

1400-1600 – обед

1600-1630 - Груздев В. А., Залесский В. Г., Русецкий И. С. О возможном механизме автомодуляции электронного тока плазменного эмиттера (Учреждение образования «Полоцкий государственный университет», Новополоцк, Беларусь)

1630-1700 – *) Воробьев М. С., Гамермайстер С. А., Девятков В. Н., Коваль Н. Н., Сулакшин С. А., Яковлев В. В. Исследование многодугового плазменного эмиттера для получения интенсивного электронного пучка (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск)

1700-1730 - Воробьев М. С. Денисов В. В., Калушевич А. А., Сулакшин С. А., Шугуров В. В., Яковлев В. В. Исследование частотно-импульсных характеристик широкоапертурного плазменного катода (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск)

1730-1800 - Ахмадеев Ю. Х., Лопатин И. В., Щанин П. М. Исследование газоразрядной плазмы тлеющего разряда с полым катодом при токах в десятки ампер (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск)

1800-1815 - перерыв

1815-1845Никулин С. П. Генерация плазмы при инжекции электронов в газоразрядный промежуток низкого давления (Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург)

1845-2000 – заседание круглого стола, дискуссия

2000-2100 – ужин

Среда, 27 июня 2012 г.

1000-1100 - завтрак

Заседание секции «ЭМИССИОННЫЕ СВОЙСТВА ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ПЛАЗМЫ, ЭЛЕКТРОННЫЕ И ИОННЫЕ ПУЧКИ, ДИАГНОСТИКА»

Председатель заседания Ремпе Николай Гербертович (ФГБОУ ВПО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники», Томск)

1100-1130Коваль Н. Н. Разряды низкого давления для создания объемных плазменных образований и их использование в плазменной эмиссионной электронике и электронно- ионно-плазменных технологий (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск)

1130-1245Барченко В. Т., Крупович Н. В., Удовиченко С. Ю. Влияние потока кластеров металла на условия горения магнетронного разряда (ФГБОУ ВПО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им. В.И. Ульянова (Ленина)», Санкт-Петербург)

1245-1200 - Барченко В. Т, Репеева Д. М., Лисенков А. А. Управление режимами горения вакуумно-дугового источника плазмы протяженной конструкции (ФГБОУ ВПО «Санкт- Петербургский государственный электротехнический университет им. В.И. Ульянова (Ленина)», Санкт-Петербург)

1200-1215 - Белкин В. М., Завьялов М. А., Сыровой В. А. Формирование ленточных биполярных пучков (ФГУП «Всероссийский электротехнический институт им. В.И.Ленина», Москва)

1215-1230 - Сыровой В. А. Формирование униполярных и биполярных колец с релятивистскими электронами (ФГУП «Всероссийский электротехнический институт им. В.И.Ленина», Москва)

1230-1245 - перерыв

1245-1315 – *) Кандауров И. В., Куркучеков В. В., Трунев Ю. А. Формирование интенсивного электронного пучка в мультиапертурном источнике с плазменным эмиттером и его транспортировка в магнитном поле пробочной конфигурации (Институт ядерной физики им. Г.И.Будкера СО РАН, Новосибирск)

1315-1345Астрелин В. Т., Карпов И. В. Моделирование диода с плазменными границами с учетом эмиссионных характеристик катодной и анодной плазмы (Институт ядерной физики им. Г.И.Будкера СО РАН, Новосибирск; ФГБОУ ВПО «Новосибирский государственный университет», Новосибирск)

Астрелин В. Т., Карпов И. В. Распределение потенциала в плоском диоде с плазменным катодом и потоком анодной плазмы (Институт ядерной физики им. Г.И.Будкера СО РАН, Новосибирск; ФГБОУ ВПО «Новосибирский государственный университет», Новосибирск)

1400-1600 - обед

1600-1630 - Григорьев С. В., Астрелин В. Т., Кандауров И. В., Коваль Н. Н., Козырев А. В., Москвин П. В., Тересов А. Д. Исследование генерации и транспортировки субмиллисекундного электронного пучка, формируемого в диоде с плазменным катодом с сеточной стабилизацией плазменной границы и плазменным анодом с открытой подвижной границей (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск; Институт ядерной физики им. Г.И.Будкера СО РАН, Новосибирск, ФГБОУ ВПО «Новосибирский государственный университет», Новосибирск)

1630-1700Мартенс В. Я., Моисеев С. В. Распределение потенциала в анодной области газового разряда низкого давления (ФГБОУ ВПО «Северо-Кавказский государственный технический университет», Ставрополь)

1700-1730 - Коваль Т. В., Ле Ху Зунг Численное исследование транспортировки низкоэнергетического электронного пучка в плазменном канале (ФГБОУ ВПО «Национальный исследовательский Томский политехнический университет», Томск)

1730-1745 - перерыв

1745-1815Ковальский С. С., Лопатин И. В., Яковлев В. В. Автоматизированная система для зондовых измерений параметров низкотемпературной плазмы (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск)

1815-1845Григорьев С. В., Москвин П. В., Тересов А. Д. Плазменный эмиттер для субмиллисекундного электронного пучка на основе несимметричного отражательного разряда (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск)

1845-1945 - дискуссия

2000-2100 - ужин

Четверг, 28 июня 2012 г.

1000-1100 - завтрак

Заседание секции «ЭЛЕКТРОВАКУУМНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И УСТАНОВКИ, ПЛАЗМЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ В НИХ»

Председатель заседания Коваль Николай Николаевич (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск)

1100-1130Шугуров В. В., Калушевич А. А., Коваль Н. Н., Денисов В. В. Автоматизированная установка «Трио» для ионно-плазменной модификации поверхности материалов и изделий (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск)

1130-1200 - Денисов В. В., Яковлев В. В., Воробьев М. С., Шугуров В. В., Ковальский С. С., Калушевич А. А., Владимиров А. М. Автоматизированные системы электропитания и управления для электродуговых генераторов низкотемпературной плазмы (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск)

1200-1215 - перерыв

1215-1245 – *) Юшков Ю. Г. Форвакуумный импульсный источник электронов с плазменным катодом для модификации поверхности непроводящей керамики (ФГБОУ ВПО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники», Томск)

1245-1315Сушенцов Н. И. Установка магнетронного распыления и дугового испарения (ФГБОУ ВПО «Марийский государственный технический университет», Йошкар-Ола)

1315-1345 - *) Цыренов Д. Б.-Д., Семенов А. П. Устройство для формирования композитных покрытий TiN-Сu на принципе согласованного действия магнетронного и дугового разрядов низкого давления (Институт физического материаловедения СО РАН, Улан-Удэ)

1400-1600 – обед

1600-1620 - Гушенец В. И., Окс Е. М., Бугаев А. С., Шандриков М. В. Источник молекулярных ионов фосфора для полупроводниковой электроники (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск)

1620-1640 - Воробьев М. С., Девятков В. Н., Денисов В. В., Гамермайстер С. А., Коваль Н. Н., Сулакшин С. А., Шугуров В. В., Яковлев В. В. Источник электронов с многодуговым плазменным эмиттером (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск)

1640-1700 - Барченко В. Т., Вересов О. Л. Плазменные источники заряженных частиц на базе разрядов с двойным контрагированием (ФГБОУ ВПО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им. В.И. Ульянова (Ленина)», Санкт-Петербург)

1700-2000 – заседание круглого стола (выработка проекта решения семинара)

2000-2100 - ужин

Пятница, 29 июня 2012 г.

1000-1100 - завтрак

Заседание секции «НОВЫЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ ПОКРЫТИЯ И НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ МОДИФИКАЦИИ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ПРИМЕНЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ И ИОННЫХ ПУЧКОВ И ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ПЛАЗМЫ»

Председатель заседания Семенов Александр Петрович (Институт физического материаловедения СО РАН, Улан-Удэ)

1100-1130Семенова А. А., чл.-к. РАН Гудилин Е. А., Семенов А. П., Семенова И. А., Иванов В. К., академик Третьяков Ю. Д. Осаждение распылением ионным пучком плазмонно-резонансных наночастиц серебра на упорядоченные микросферы диоксида кремния (Институт физического материаловедения СО РАН, Улан-Удэ; Факультет наук о материалах и Химический факультет ФГБОУ ВПО «Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова», Москва; Институт общей и неорганической химии им. Н.С.Курнакова РАН, Москва)

1130-1200 - чл.-к. РАН Гаврилов Н. В., Меньшаков А. И. Азотирование титана в плазме электронного пучка при низком плавающем потенциале образцов (Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург)

1200-1215 - перерыв

1315-1345Доржиев А. Д., Смирнягина Н. Н., Грешилов А. Д., Семенов А. П. Наноструктурирование упрочняющих покрытий боридов переходных металлов на быстрорежущих сталях Р18 и Р6М5 при воздействии электронного пучка в вакууме (Институт физического материаловедения СО РАН, Улан-Удэ; ФГБОУ ВПО «Восточно-Сибирский государственный университет управления и технологий», Улан-Удэ)

1400-1600 - обед

1600-1630 – *) Петрикова Е. А., Иванов Ю. Ф., Будовских Е. А. Модификация структуры и свойств силумина путем формирования поверхностного сплава комбинированным методом, сочетающим электровзрывное легирование с последующей электронно-пучковой обработкой (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск)

1630-1645Номоев А.В., Бардаханов С.П. Синтез и механизм образования янус- подобных наночастиц силицида тантала-кремния (TaSi2/Si) (Бурятский государственный университет, Улан-Удэ; Институт физического материаловедения СО РАН, Улан-Удэ; Институт теоретической и прикладной механики СО РАН им. С.А.Христиановича, Новосибирск)

1645-1700 - *) Дашеев Д. Э., Семенов А. П., Смирнягина Н. Н. Особенности синтеза, строения и прочностных свойств слоев боридов железа на углеродистой стали Ст3, сформированных под воздействием мощного электронного пучка в вакууме (Институт физического материаловедения СО РАН, Улан-Удэ)

1700-1715 - перерыв

1715-1745Коваль Н. Н., Иванов Ю. Ф., *)Крысина О. В., Лопатин И. В., Шугуров В. В. Особенности формирования многокомпонентных нанокристаллических покрытий на основе нитрида титана вакуумно-дуговым плазменно-ассистированным методом (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск)

1745-1815Ким Т. Б., Халтанова В. М., Смирнягина Н. Н. Термодинамическое моделирование образования боридов и карбидов вольфрама, синтез, строение и фазовый состав покрытий на их основе, сформированных при электронно-лучевой обработке в вакууме (Институт физического материаловедения СО РАН, Улан-Удэ; ФГБОУ ВПО «Бурятский государственный университет», Улан-Удэ)

1815-1845Иванов Ю. Ф., Петрикова Е. А., Тересов А. Д., Соскова Н. А., Будовских Е. А., Громов В. Е., Денисова Ю. А. Структурно-фазовое обоснование комбинированной технологии модификации поверхности титановых сплавов, совмещающей легирование плазмой электрического взрыва проводящего материала и электронно-пучковую обработку (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск)

1845-1915 - *) Милонов А. С., Смирнягина Н. Н. Особенности фазообразования в системе V-B-C-O, синтеза и строения слоев боридов ванадия при электронно-лучевой наплавке продуктов СВС в вакууме (Институт физического материаловедения СО РАН, Улан-Удэ)

1915-1945Халтаров З. М., Тересов А. Д., Милонов А. С., Коваль Н. Н., Семенов А. П., Смирнягина Н. Н. Фазовый состав, строение и микротвердость слоев TiB2 на углеродистых сталях Ст20 и У8А, сформированных в вакууме под воздействием мощных электронных пучков (Институт физического материаловедения СО РАН, Улан-Удэ; Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск)

2000-2100 - ужин

Суббота, 30 июня 2012 г.

1000-1100 - завтрак

1100-1130Бато В. Раднаев, Баир В. Раднаев, *) Д. Э. Дашеев, А. С. Милонов, Н. Н. Смирнягина Строение, жаропрочность и жаростойкость наноструктурных слоев боридов переходных металлов на углеродистых сталях (Институт физического материаловедения СО РАН, Улан-Удэ)

1130-1200Халтанова В. М., Смирнягина Н. Н., *) Доржиев Б. Б., Очиров В. Д. Теплофизические процессы формирования защитных покрытий в вакууме под воздействие электронного пучка (Институт физического материаловедения СО РАН, Улан-Удэ; ФГБОУ ВПО «Бурятский государственный университет», Улан-Удэ)

1200-1230 - Ахмадеев Ю. Х., Воробьев М. С., Денисов В. В., Калушевич А. А., Коваль Н. Н., Шугуров В. В., Суслов А. И., Яковлев В. В., Волчков В. С., Галата А. А., Ледовских А. К., Мурлышев А. П. Исследование процесса разложения тетрафторида кремния в частотно-импульсном разряде (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск)

1230-1300 - принятие решения, закрытие семинара

1400-1600 - обед

1700 - выезд в г. Улан-Удэ

1900 - прибытие в г. Улан-Удэ, размещение в гостиничном комплексе «Бурятия»

Воскресенье, 1 июля 2012 г.

800-2400 - Отъезд участников семинара


*) - доклады молодых ученых



RAN SO RAN RFFI ФАНО RSF HBC Sib-Science News