Окончил Бурятский государственный университет по специальности «Физик. Преподаватель физики». В 2004 г. успешно сдав вступительные экзамены, был зачислен в аспирантуру Отдела физических проблем по специальности «физическая электроника» лаборатории электрофизики и в 2007 г. успешно окончил аспирантуру.
В Институте физического материаловедения СО РАН работает с 2012 года, заняв должность младшего научного сотрудника лаборатории физического материаловедения по совместительству. В настоящее время является научным сотрудником лаборатории физического материаловедения.
Область научных интересов Цыренова Д.Б-Д. включает в себя проблемы синтеза композитных покрытий на основе нитрида титана (TiN) полифункционального назначения с помощью вакуумных PVD-процессов. За время работы стал специалистом в области материаловедения и физики газоразрядной плазмы. Совместно с научным руководителем и коллективом, удалось реализовать технологию формирования функциональных покрытий на основе тугоплавких нитридов в вакууме; исследовать физико-химические свойства слоев и рекомендовать их в качестве защитных (износостойких, упрочняющих) покрытий на различных материалах. Опубликовано более 30 научных работ в российских и зарубежных специализированных изданиях в качестве автора и соавтора, совместно с коллективом авторов получен 1 патент РФ. Выступал с устными докладами на различных представительных международных и российских конференциях и симпозиумах.
Исполнитель проектов: Проект РФФИ № 15-48-04086 «Разработка сопряженных вакуумно-дуговых и ионно-плазменных процессов создания сверхтвердых наноструктурированных и нанокомпозитных покрытий TiN-Cu полифункционального назначения». Проект № II.2П/II.9-12 «Разработка теоретических основ получения композиционных морозостойких строительных материалов для гражданского, дорожного и промышленного строительства с использованием углеродных наномодификаторов и исследование их свойств». Проект РФФИ № 20-08-00207/20 «Разработка физических основ метода синтеза композитных наноструктурированных наноразмерных покрытий TiN-Cu на основе магнетронного разряда с инжекцией пучка ускоренных ионов в магнетрон».